Croissance et caractérisation d'oxydes minces photogénérés electrochimiquement sur n-InP

Le comportement électrochimique, en oxydation, d'un semiconducteur III-V n-InP, a été étudié au contact de deux solutions aqueuses à 2 pH pour lesquels la solubilité des produits de corrosion issus de la photo-oxydation est totalement différente. Ce travail s'est articulé autour de 2 axes, l'un concernant le procédé de fabrication d'un film d'oxyde sur InP, et le second concernant la caractérisation aussi bien in situ que ex situ de cet oxyde. Les études ont montré la formation rapide d'une couche homogène très mince (de l'ordre de quelques nm) et peu poreuse présentant de bonnes propriétés chimiques et électriques passivantes au potentiel imposé. Le système électrique constitué par l'interface InP/oxyde devient bloquant au bout de quelques sec., et son blocage est tel qu'il peut jouer le rôle de barrière électrique au transfert d'e- de la BC et au transfert de h+ de la BV. L'étude conjointe des mesures de capacité, des photocourants transitoires et de sa régénération a été réalisée, et ont mis en évidence pour n-InP, trois étapes dans la formation et la croissance de l'oxyde photogénéré. L'analyse des transitoires de photocourant peut être considérée comme un outil d'information in situ sur la qualité des oxydes non transformés sur InP (recouvrement, porosité, stabilité chimique...).The electrochemical behavior, in oxidation, of a semiconductor III-V n-InP, was studied in the contact of two aqueous solutions of 2 pH for which the solubility of the products of corrosion stemming from the photo-oxidation is totally different. This work articulated around 2 axes, the one concerning the manufacturing process of a film of oxide about InP, and the second concerning the characterization as well in situ as ex situ of this oxide. The studies showed a fast formation of a very thin homogeneous layer (of the order of some nm) and little porous presenting good chemical and electric passivating properties a the imposed potential. The electric system constituted by the interface InP / Oxide becomes blocking in few seconds, and the blocking properties of the oxide is such as he can play the role of electric barrier the transfer of the electrons of the BC and in the transfer of the holes of the BV. The joint study of the capacity measurement, the photocurrents transient and its regeneration was realized, and put in evidence for n-InP, three stages in the formation and the growth of the oxide photogenerate. The analysis of the photocurrent transient can be considered as a good tool for the information in situ about the quality of oxides not transformed on InP (covering(collection), porosité, chemical stability)VERSAILLES-BU Sciences et IUT (786462101) / SudocSudocFranceF