Contribution à l'intégration monolithique de protections contre les surtensions (application aux convertisseurs de puissance haute tension)

Un nouveau circuit de protection contre les surtensions a été développé. Dans ce circuit de protection, la partie dissipative est monolithiquement intégrée dans la même puce du transistor à protéger avec aucune modification technologique additionnelle. Cette intégration monolithique tire profit du système de refroidissement du transistor à protéger pour le refroidissement de la partie intégrée. Er même temps, elle réduit au minimum les problèmes de connections entre le transistor à protéger et son système de protection. En plus, la conception de ce circuit de protection permet d'ajuster le seuil de tension de protection. C'est utile pour la mise en série des transistor: pour des applications à haute tension. Un modèle du BJT comme transistor de protection est établi. Ce modèle se distingue des modèle existants car il prend en compte que le BJT fonctionne en mode linéaire. Un modèle thermique de l'ensemble des transistors intégrés évalue le comportement de ces transistors malgré la différence entre leur mode de fonctionnement. Ce modèle donne une meilleure distribution des cellules du transistor de protection dans la puce. Des résultats pratiques à partir des composants MOSFETs autoprotégé que nous avons fabriqués valident la solution proposée. Un démonstrateur de hacheur série utilisant deux MOSFETs autoprotégés en série montre l'efficacité de notre solution.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF