Etude de l'effet d'histoire et optimisation des circuits logiques en technologie SOI partiellement désertée 130 et 65nm

L'objectif de ce travail est de répondre aux problématiques de conception liées à l'effet d'histoire dans les technologies CMOS/SOI partiellement désertées 0.131.1m et 65nm. Une étude approfondie a permis de mettre en évidence les limitations des méthodes classiquement utilisées pour caractériser l'impact de cet effet d'histoire sur les temps de propagation des portes. A partir des méthodologies d'initialisation de la charge du substrat flottant développées dans ce mémoire, un outil dédié à la caractérisation industrielle des bibliothèques de cellules standard a été développé. Cet outil permet d'obtenir, en seulement deux simulations, une estimation des cas de propagation les plus lents et les plus rapides, incluant la dispersion en régime aléatoire. Les résultats obtenus par cet outil confèrent aux circuits synthétisés une robustesse optimale à l'effet d'histoire tout en garantissant une dégradation négligeable des performances. Enfin les principaux facteurs de gain de cette technologie sont évalués pour les nœuds 130nm et 65nm.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF