Mise en place d'une démarche d'intégration des contraintes CEM dans le flot de conception des circuits intégrés

L'évolution des technologies lithographiques permet de concevoir des circuits intégrés de plus grandes densités mais aussi de pouvoir intégrer des focntions électroniques aussi variées que l'analogique, la puissance, les radiofréquences, ... caractérisées par des sensibilités électriques très différentes. le fabricantde circuits intégrés (C. I) doit mettre en place de nouvelles méthodologie pour garantir la compatibilité électromagnétique (CEM) des fonctions intégrées dans le silicium et avant même que ceux-ci soient fabriqués. Ces nouvelles approches de conception nécessitent de développer des modèles électriques pour les fonctions analogiques et numériques. La vérification globale de la CEM (émission et susceptibilité) nécessite de réduire les informations issues de la conception et donc de produire des modèles possédant le même comportement électrique mais comportant cent à mille fois moins d'information. Ce mémoire propose doncdes approches nouvelles pour produire les modèles d'émission et de susceptibilité. Ces approches sont basées sur le modèle ICEM-CE en cours de normalisation (IEC62433-2) au niveau international. Par la suite, à partir de ce modéle, ce mémoire présente une méthode d'analyse de susceptibilité interne et une seconde méthode dédiée à l'optimisation des émissions rayonnées mesurées en cellule TEM. Le premier chapitre est une introduction à la CEM des C.Is. Le deuxième chapitre analyse l'impact de l'évolution de la technologie sur la CEMdes C.Is. Le troisième chapitre repasse en vue les modèles CEM normalisés ou en cours de normalisation puis introduit le modèle ICEM-CE. Les chapitres quate et cinq présentent les méthodes utilisées pour développer par la mesure le ICEM-CE. Le chapitre six propose une méthode développée pour prédire la susceptibilité des C.Is mixtes analogiques et numérique. Enfin dans le dernier chapitre une méthode de prédiction des émissions rayonnées en cellule TEM est décrite. Les travaux réalisés en cours de cette thèse on fait l'objet progessivemetn d'un transfert technologique dans le flot de conception des microcontrôleurs de la Atmel (AVR 8 and 32bits).RENNES-INSA (352382210) / SudocSudocFranceF