Les besoins croissants en tennes de performances et de miniaturisation pour les prochaines générations de composants CMOS ont permis à la technologie SOI de se présenter comme une alternative crédible à la technologie sur silicium massif. En effet, de par leur architecture, les dispositifs à film mince de conduction ont montré une amélioration significative du contrôle des effets de canaux courts, comparée à la technologie sur silicium massif. Toutefois, afin de satisfaire les spécifications des n uds technologiques ultimes, nous savons qu'il sera nécessaire de repousser les limites des dispositifs SOI actuels. Les travaux présentés dans cette thèse ont donc porté sur les transistors MOS fabriqués sur substrat SOI, et plus spécifiquement, s...
> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d ...
The dimensions downscaling for the next nodes of the microelectronics industry is handicapped by tec...
La réduction continue des dimensions des transistors depuis les années 60 est à l’origine de l’explo...
La réduction des dimensions des transistors pour les prochains nœuds technologiques soulève des prob...
Depuis plusieurs générations technologiques, la réduction des dimensions des transistors à effet de ...
Les travaux de cette thèse abordent les différentes problématiques émergeant lorsque la longueur de ...
Depuis plus d'un demi-siècle, le monde de la microélectronique est rythmé par une course à la miniat...
For more than 50 years, microelectronic industry is driven by a race to the miniaturisation of its c...
For more than 50 years, microelectronic industry is driven by a race to the miniaturisation of its c...
CETTE ETUDE, A BUT PROSPECTIF, S'ATTACHE A CONCEVOIR ET COMPARER DIFFERENTES ARCHITECTURES MOSFET DA...
A l’heure où la miniaturisation des technologies CMOS sur substrat massif atteint des limites, la te...
Depuis plus d'un demi-siècle, le monde de la microélectronique est rythmé par une course à la miniat...
La technologie Silicium-Sur-Isolant (SOI) a montré ses potentiels dans la poursuite de la miniaturis...
> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’...
L'objectif de ce travail est l'étude des fransistors MOS/SOI à film de silicium ultra-mince avec une...
> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d ...
The dimensions downscaling for the next nodes of the microelectronics industry is handicapped by tec...
La réduction continue des dimensions des transistors depuis les années 60 est à l’origine de l’explo...
La réduction des dimensions des transistors pour les prochains nœuds technologiques soulève des prob...
Depuis plusieurs générations technologiques, la réduction des dimensions des transistors à effet de ...
Les travaux de cette thèse abordent les différentes problématiques émergeant lorsque la longueur de ...
Depuis plus d'un demi-siècle, le monde de la microélectronique est rythmé par une course à la miniat...
For more than 50 years, microelectronic industry is driven by a race to the miniaturisation of its c...
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CETTE ETUDE, A BUT PROSPECTIF, S'ATTACHE A CONCEVOIR ET COMPARER DIFFERENTES ARCHITECTURES MOSFET DA...
A l’heure où la miniaturisation des technologies CMOS sur substrat massif atteint des limites, la te...
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> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d ...
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