Formation de siliciures par réaction à l'état solide de films ultraminces de silicium sur des substrats métalliques (Si/Cu(001), Si/Ni(111)) - Etude structurale et cinétique

Ce travail porte sur l'étude des premiers stades de la formation des siliciures par réaction à l'état solide de dépôts ultraminces de silicium sur des substrats métalliques monocristallins (Cu(OO1), Ni(111)). Les deux systèmes modèles choisis (Si/Ni, Si/Cu) se caractérisent par une forte tendance à l'ordre, des solubilités limites importantes du Si dans le métal et une très forte tendance à la ségrégation superficielle du Si. Notre approche consiste à déposer deux sortes de films ultraminces de Si (~ 1 monocouche ou 5 monocouches) à température ambiante et ensuite à réaliser des expériences de dissolution (diffusion à l'état solide). A travers les cinétiques de dissolution, en couplant différentes techniques d'analyse de surface (AES, LEED, PES et STM) nous avons pu, d'une part, caractériser d'un point de vue cinétique et structural les composés 2D qui se forment lors de la dissolution d'une monocouche et, d'autre part, nous avons mis en évidence la formation séquentielle de deux composés 3D dans le cas de la dissolution de dépôts de l'ordre de 5 MC.AIX-MARSEILLE3-BU Sc.St Jérô (130552102) / SudocSudocFranceF