Simulation des mécanismes de transport quantique dans les nanocomposants sur Silicium

La réduction de la taille des composants électroniques a entrainé des effets quantiques inévitables, à l image du confinement quantique et l effet tunnel. Nous avons essayé de mettre à profit ces phénomènes, pour l étude du transport quantique à travers des oxydes ultras minces. En effet nous avons commencé par l étude du transport quantique sur des structures 1D par la résolution des équations de Schrödinger-Poisson couplées. Un oxyde parfait n existe pas et tenir compte des pièges est indispensable, c est pourquoi nous les avons modélisé par un puit de potentiel, au niveau d un oxyde et à l interface entre deux diélectriques. La modélisation 1D ne suffit plus pour expliquer tous les phénomènes quantiques, c est pourquoi l étude et la modélisation des inclusions nanométriques, présentant un confinement bidimensionnel pour les fils et tridimensionnel pour les boites quantiques est primordiale. Pour ce faire, nous avons résolu les équations de Schrödinger en 2D et en 3D. l étude du phénomène du transport à travers des boites quantiques, passe par la résolution des équations de Schrödinger-Poisson 3D. Nous nous sommes confrontés principalement à deux problèmes, techniquement très difficile à résoudre, qui se résume sur l énorme temps de calcul machine et l espace mémoire pris pour la résolution des problèmes à valeurs propres. L approximation qui a été réalisée est de calculer l équation de Poisson 3D en fixant à chaque fois le niveau de FermiVILLEURBANNE-DOC'INSA LYON (692662301) / SudocSudocFranceTunisiaFRT