Caractérisation de l'interface isolant InP formé en oxydation plasma par l'étude des transitoires de capacité DLTS et DDLTS

L'interface (n) InP-oxyde natif obtenu par une technique bicouche a été étudié par DLTS et double DLTS dans le but de déterminer la répartition énergétique des états d'interface dans la partie supérieure de la bande interdite et la position du potentiel de surface en fonction de la tension appliquée à la structure MIS tunnel Au-Oxyde-InP. La mesure des transitoires de capacité sur la structure MIS permet d'explorer la bande interdite avec une fenêtre d'observation de largeur énergétique voisine de 3 kT et d'obtenir le spectre des états d'interface qui fait apparaître une contribution prépondérante d'un état discret en concentration élevée située à une profondeur de 0,46 eV sous la bande de conduction. La position du potentiel de surface a été déterminée en régime de déplétion par une spectroscopie DLTS à faible niveau et confirmée par double DLTS