L'effet des défauts structuraux sur le transport polarisé en spin dans les jonctions tunnel magnétiques

Dans le manuscrit, nous étudions l impact des défauts sur le transport électronique dépendant du spin dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM). Ces études ont été effectuées sur des hétérostructures possédant des barrières tunnel composé de SrTiO3, TiO2 et de MgO. Dans le cas des deux premières structures, nous montrons comment l oxydation à l interface induit réduction très prononcée de la magnétorésistance tunnel (TMR). Dans le cas du MgO, des études optiques sur les états induits par les défauts dans la barrière isolante ont été effectué. Nous avons montré qu il est possible de contrôler la densité de certain type de défaut (lacune d oxygène) en altérant les conditions de dépôts du MgO. Les études électriques et optiques effectué sur ces échantillons permettent de remonter à l énergie des défauts au sein de la barrière. Les méthodes d analyses des mesures électrique Î (I chapeau), qui représente la variation relative ou absolue du courant électrique en fonction de la température, permet de définir différents régime de transport à travers les jonctions CoFeB/MgO/CoFeB. Le régime intrinsèque observé à basse température s explique par les effets de structure de bande du CoFeB et du MgO (filtrages des électrons de différente symétrie par la barrière de MgO), tandis que le régime extrinsèque observé aux températures intermédiaires résulte d une activation thermique progressive des lacunes d oxygène et est accompagné d une réduction de la résistance ainsi que du signal TMR. Nous avons également montré dans des études préliminaires qu une excitation optique des défauts a un impact sut le magnéto-transport.In the manuscript it is presented how the spin-polarized transport across magnetic tunnel junctions (MTJ) is affected by presence of structural defects within the barrier and at its interfaces. Studies concern structures incorporating SrTiO3, TiO2 and MgO insulators. In case of the first two structures it is shown how interfacial oxidation results in the drastically reduced value of the tunnelmagnetoresistance (TMR). In case of the MgO barrier, extensive studies on defect sites within the crystalline network of the insulator are performed. It is shown that one may control density of certain types of oxygen vacancies by altering growth conditions of the MgO layer. Further electrical and optical studies give insight into energetical positioning of these defect sites. Extension of the Î magnetotransport analysis method from the absolute to the relative case reveals several regimes of transport across CoFeB/MgO/CoFeB junctions. The low-temperature intrinsic regime is attributed exclusively to the band structure effects of the CoFeB electrodes, whereas the mid- to room-temperature extrinsic regimes result from the gradual incidence of thermally activated defect sites on the spin-polarized transport, which is accompanied by an increased reduction of both the resistance and the TMR signal. Initial experiments show that optical excitation of the defect sites has a crucial impact on the magnetotransport.STRASBOURG-Bib.electronique 063 (674829902) / SudocSudocFranceF