Vieillissement accéléré et dégradation des diodes électroluminescentes à double hétérostructure (GaAl)As-GaAs

La dégradation sous vieillissement accéléré (50 A/cm2 ; 150-250 °C) de D.E.L. à D.H. Ga1-yAlyAs (pour Z.C.)-Ga1-xAlxAs (pour Z.A.) élaborées par E.P.L., a été étudiée. Deux comportements sont observés : certains éléments ayant subi des contraintes lors du montage se dégradent rapidement (formation et développement de lignes noires) ; pour les autres (absence de lignes noires), la dégradation se fait d'abord rapidement pendant 200 à 300 h, puis plus lentement. Dans ce dernier cas, on a analysé les variations de la puissance lumineuse (I= 50 A/cm2) et de la concentration des centres profonds. La dégradation des diodes peut être caractérisée par une énergie respectivement égale à 0,27 eV et 0,46 eV pour x = 0 et x = 0,07 ; il est alors possible d'extrapoler les durées de vie en utilisation normale, soit 2 x 105 et 107 h. On note que ces valeurs sont obtenues en l'absence de certains niveaux profonds tels que ceux induits par la diffusion des impuretés (Cr et Fe); en effet, on ne détecte que 4 niveaux : 2 associés à Sn dans Z.C. et 2 autres situés dans Z.A. ont des concentrations croissantes lors du vieillissement