Appareillage d'épitaxie de composés semiconducteurs par transport réactif à courte distance

L'appareillage décrit est un système permettant de réaliser le transport d'un matériau sur un substrat, dans une enceinte où la pression - ou le débit - du gaz réactif peuvent être fixés ; les caractéristiques principales résident dans le contrôle et la stabilisation des températures, la rapidité d'établissement des programmes thermiques et la multiplicité des interventions in situ. Précision des mesures et souplesse d'utilisation sont les qualités qui font de cet appareillage un bon outil de recherche expérimentale. Un exemple d'application à la croissance épitaxique d'un composé semiconducteur (CdTe) est présenté