Mécanismes de claquage de diodes bipolaires en SiC - Impact du milieu isolant en surface

National audienceUne étude de diodes bipolaires en SiC-4H protégées par poche est présentée, afin d'analyser le rôle de l'environnement isolant sur les mécanismes de claquage. Pour les diodes épaisses protégées par poche fortement dopée, simulation et expérience sous vide montrent une tension de claquage VBR améliorée par la présence d'un film de passivation secondaire en polyimide (PI), ainsi que leur très grande sensibilité aux charges additionnelles liées aux isolants. La localisation du lieu de claquage par une électroluminescence ponctuelle visible en bord de poche est manifeste d'un claquage réversible par ionisation par impact dans le SiC. Les tenues en tension des diodes épaisses avec passivation primaire en SiO2 (sans PI) sont dépendantes du milieu ambiant, plus élevée sous azote à 1 atm que sous vide secondaire