Add to ORKG京都大学0048新制・論文博士博士(工学)乙第10238号論工博第3459号新制||工||1157(附属図書館)UT51-99-T772(主査)教授 髙木 興一, 教授 森澤 眞輔, 教授 飯田 恭敬...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第5717号工博第1363号新制||工||948(附属図書館)UT51-94-J149京都大学大学院工学研究科情報工学専攻(主査)教授 矢島 脩三, 教授 ...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第10193号工博第2256号新制||工||1271(附属図書館)UT51-2003-H614京都大学大学院工学研究科建築学専攻(主査)教授 宗本 順三, ...
京都大学0048新制・課程博士博士(人間・環境学)甲第10545号人博第214号15||169(吉田南総合図書館)新制||人||54(附属図書館)UT51-2004-C97京都大学大学院人間・環境学研...
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓(GaN)外延材料。未掺杂GaN显n型, 室温下(300K)背景电子浓度为1.6×10~1~7cm~-~3,电子迁移率为360cm~2/V.s。在195K...
由于在数字、图象信息的显示和处理、高密度光存储、水下通信、高温大功率器件等领域的广阔应用前景，GaN系材料已经当今世界各国科技和产业界的关注热点。随着GaN在蓝光发光二极管、激光二极管不断取得进展，如...
京都大学0048新制・論文博士博士(工学)乙第9265号論工博第3129号新制||工||1045(附属図書館)UT51-96-K118(主査)教授 片山 徹, 教授 足立 紀彦, 教授 荒木 光彦学位...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第7953号工博第1855号新制||工||1152(附属図書館)UT51-99-M258京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻(主査)教授 今西 信嗣, 教...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第21270号工博第4498号新制||工||1700(附属図書館)京都大学大学院工学研究科電子工学専攻(主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第8376号工博第1941号新制||工||1173(附属図書館)UT51-2000-F280京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻(主査)教授 川原 琢治...
京都大学0048新制・論文博士博士(工学)乙第8663号論工博第2904号新制||工||970(附属図書館)UT51-94-R422(主査)教授 岡崎 守男, 教授 橋本 健治, 教授 三浦 孝一学位...
京都大学0048新制・論文博士博士(工学)乙第10238号論工博第3459号新制||工||1157(附属図書館)UT51-99-T772(主査)教授 髙木 興一, 教授 森澤 眞輔, 教授 飯田 恭敬...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第5717号工博第1363号新制||工||948(附属図書館)UT51-94-J149京都大学大学院工学研究科情報工学専攻(主査)教授 矢島 脩三, 教授 ...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第10193号工博第2256号新制||工||1271(附属図書館)UT51-2003-H614京都大学大学院工学研究科建築学専攻(主査)教授 宗本 順三, ...
京都大学0048新制・課程博士博士(人間・環境学)甲第10545号人博第214号15||169(吉田南総合図書館)新制||人||54(附属図書館)UT51-2004-C97京都大学大学院人間・環境学研...
在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释
GaN族材料作为新一代的半导体材料,和以前广泛应用的其它半导体材料相比,有着其独特的性质,使其成为二十一世纪最有发展前途的材料之一.目前对GaN族材料和其相应的器件的研究正方兴未艾.该文对这方面的工作...
在国内首次用NH_3作氮源的GSMBE方法在α-Al_2O_3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0.5μm/h。GaN外延膜的(0002)双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arc...
用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓(GaN)外延材料。未掺杂GaN显n型, 室温下(300K)背景电子浓度为1.6×10~1~7cm~-~3,电子迁移率为360cm~2/V.s。在195K...
由于在数字、图象信息的显示和处理、高密度光存储、水下通信、高温大功率器件等领域的广阔应用前景，GaN系材料已经当今世界各国科技和产业界的关注热点。随着GaN在蓝光发光二极管、激光二极管不断取得进展，如...
京都大学0048新制・論文博士博士(工学)乙第9265号論工博第3129号新制||工||1045(附属図書館)UT51-96-K118(主査)教授 片山 徹, 教授 足立 紀彦, 教授 荒木 光彦学位...
GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第7953号工博第1855号新制||工||1152(附属図書館)UT51-99-M258京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻(主査)教授 今西 信嗣, 教...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第21270号工博第4498号新制||工||1700(附属図書館)京都大学大学院工学研究科電子工学専攻(主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第8376号工博第1941号新制||工||1173(附属図書館)UT51-2000-F280京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻(主査)教授 川原 琢治...
京都大学0048新制・論文博士博士(工学)乙第8663号論工博第2904号新制||工||970(附属図書館)UT51-94-R422(主査)教授 岡崎 守男, 教授 橋本 健治, 教授 三浦 孝一学位...
京都大学0048新制・論文博士博士(工学)乙第10238号論工博第3459号新制||工||1157(附属図書館)UT51-99-T772(主査)教授 髙木 興一, 教授 森澤 眞輔, 教授 飯田 恭敬...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第5717号工博第1363号新制||工||948(附属図書館)UT51-94-J149京都大学大学院工学研究科情報工学専攻(主査)教授 矢島 脩三, 教授 ...
京都大学0048新制・課程博士博士(工学)甲第10193号工博第2256号新制||工||1271(附属図書館)UT51-2003-H614京都大学大学院工学研究科建築学専攻(主査)教授 宗本 順三, ...