Вивчення процесів кристалізації карбіду кремнію шляхом спільного розкладання тетрахлориду кремнію і толуолу в присутності водню

Is described principle of obtaining silicon carbide on install a flow-through type. Depending on the different ratio between the active components of the gas phase SiCl4: C7H8, has been investigated and studied the morphology of the SiC layer. Shown the influence of velocity steam-gas flow and substrate temperature on deposition rate of SiCОписан принцип получения карбида кремния на установке проточного типа. В зависимости от различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl4:C7H8, поступающими в реактор, исследована и изучена морфология SiC слоя. Показано влияние скорости парогазового потока и температуры подложки на скорость осаждения SiC. Описано принцип отримання карбіду кремнію на установці проточного типу. Залежно від різного співвідношення між активними компонентами газової фази SiCl4: C7H8, які надходять в реактор, досліджена і вивчена морфологія SiC шару. Показано вплив швидкості парогазового потоку і температури підкладки на швидкість осадження Si