Penelitian mengenai karakterisasi plasma argon pada deposisi lapisan tipis karbon telah dilakukan. Proses deposisi lapisan tipis karbon menggunakan metode plasma sputtering. Plasma dibangkitkan dengan variasi laju alir 60, 70, 80, 90, and 100 ml/menit, tekanan 100 Pa, DC bias -600 V, waktu deposisi 30 menit, temperatur substrat 150oC dan tegangan RF 190 volt Karakterisasi plasma menggunakan Optical Emission Spectroscopy (OES) dengan acuan database NIST. Spesies plasma yang dominan adalah Ar I. Temperatur elektron dihitung dengan menggunakan plot Boltzmann. Densitas elektron dihitung dengan menggunakan pelebaran stark. Kenaikan laju alir mengakibatkan penurunan nilai temperatur elektron. Penurunan nilai temperatur elektron disebabkan karena ...
Plasma secara garis besar merupakan suatu gas yang terionisasi. Plasma terbentuk dari gas yang terio...
Proses etsa kristal SiO¬2 dapat dilakukan dengan menggunakan metode plasma etching dengan gas CH2FCF...
Untuk meningkatkan performa sensor QCM, QCM dimodifikasi pada bagian kedua elektroda dengan melapisi...
Quartz Crystal Microbalance (QCM) merupakan perangkat yang terdiri dari kristal kuarsa dan dilapisi ...
Proses deposisi lapisan tipis bisa dilakukan dengan metode plasma sputtering dengan gas argon. Plasm...
Telah dilakukan perancangan pada sistem plasma dan pengaruh variasi tekanan chamber terhadap deposis...
Telah dilakukan deposisi lapisan tipis karbon di atas substrat dengan teknik sputtering. Bahan targe...
Penelitian mengenai modifikasi lapisan tipis polistiren dan karakterisasi plasma oksigen telah dila...
Metode Sputtering adalah salah satu metode deposisi untuk membentuk lapisan karbon yang memerlukan b...
Penumbuhan lapisan tipis dengan metode Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD), telah berhasil dibuat...
Telah dilakukan penelitian tentang perlakuan plasma oksigen pada permukaan polistirena di atas Quar...
Penelitian mengenai pengaruh tegangan terhadap deposisi karbon telah dilakukan. Metode yang digunak...
Salah satu cara yang dilakukan untuk memperbaiki sifat material adalah dengan teknik deposisi lapis...
Telah dilakukan penelitian tentang pembuatan lapisan tipis karbon di atas substrat kaca dengan pembe...
Plasma ialah wujud zat keempat yang merupakan gas terionisasi. Berdasarkan temperaturnya, plasma dap...
Plasma secara garis besar merupakan suatu gas yang terionisasi. Plasma terbentuk dari gas yang terio...
Proses etsa kristal SiO¬2 dapat dilakukan dengan menggunakan metode plasma etching dengan gas CH2FCF...
Untuk meningkatkan performa sensor QCM, QCM dimodifikasi pada bagian kedua elektroda dengan melapisi...
Quartz Crystal Microbalance (QCM) merupakan perangkat yang terdiri dari kristal kuarsa dan dilapisi ...
Proses deposisi lapisan tipis bisa dilakukan dengan metode plasma sputtering dengan gas argon. Plasm...
Telah dilakukan perancangan pada sistem plasma dan pengaruh variasi tekanan chamber terhadap deposis...
Telah dilakukan deposisi lapisan tipis karbon di atas substrat dengan teknik sputtering. Bahan targe...
Penelitian mengenai modifikasi lapisan tipis polistiren dan karakterisasi plasma oksigen telah dila...
Metode Sputtering adalah salah satu metode deposisi untuk membentuk lapisan karbon yang memerlukan b...
Penumbuhan lapisan tipis dengan metode Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD), telah berhasil dibuat...
Telah dilakukan penelitian tentang perlakuan plasma oksigen pada permukaan polistirena di atas Quar...
Penelitian mengenai pengaruh tegangan terhadap deposisi karbon telah dilakukan. Metode yang digunak...
Salah satu cara yang dilakukan untuk memperbaiki sifat material adalah dengan teknik deposisi lapis...
Telah dilakukan penelitian tentang pembuatan lapisan tipis karbon di atas substrat kaca dengan pembe...
Plasma ialah wujud zat keempat yang merupakan gas terionisasi. Berdasarkan temperaturnya, plasma dap...
Plasma secara garis besar merupakan suatu gas yang terionisasi. Plasma terbentuk dari gas yang terio...
Proses etsa kristal SiO¬2 dapat dilakukan dengan menggunakan metode plasma etching dengan gas CH2FCF...
Untuk meningkatkan performa sensor QCM, QCM dimodifikasi pada bagian kedua elektroda dengan melapisi...