Estudio óptico-estructural de películas de sicxoy sometidas a tratamientos térmicos

“Actualmente el silicio es la base de la industria microelectrónica. Aun así, su uso para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos se ha limitado a celdas solares y fotodetectores. El grupo de semiconductores III-V son los materiales más utilizados para el desarrollo de dispositivos emisores de luz. Sin embargo, la tecnología de silicio está bastante desarrollada y estudiada, por lo que el uso de materiales a base de silicio podría significar ventajas importantes para el desarrollo de estos dispositivos emisores de luz. Con ello se pretende integrar en un futuro dispositivos optoelectrónicos con tecnologías desarrolladas a bajo costo, esto como una solución a la gran demanda de niveles extremos de integración que se genera con el avance de la tecnología, promoviendo una miniaturización de dispositivos microelectrónicos. Dicha integración a gran escala está llegando a su límite, provocando la formación de capacitancias parasitas las cuales reducen la velocidad de respuesta del dispositivo. Además, se presenta el calentamiento de los dispositivos ya que el consumo de potencia para su funcionamiento incrementa, provocando un aumento de temperatura en el dispositivo, esto ocasiona el calentamiento de pequeñas líneas situadas sobre el sustrato de silicio que funcionan como líneas de transmisión de información, afectando de este modo su desempeño