УЗАГАЛЬНЕНА МОДЕЛЬ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ОПИСІ ДІОДІВ ГАННА

The application of the model of an inertial element whose nonlinearity is given by the dependence of the parameters on charge is considered for the description of the processes occurring in the Hann diodes as solid-state devices of a super-high frequencyРассмотрено применение модели инерционного элемента, нелинейность которого задается зависимостью параметров от заряда, для описания процессов, протекающих в диодах Ганна, как твердотельных устройствах сверхвысокой частотыРозглянуто застосування моделі інерційного елемента, нелінійність якого задається залежністю параметрів від заряду, для опису процесів, що протікають у діодах Ганна, як твердотільних приладах надвисокої частот