Production and characterization of CuS thin films with chemical bath deposition method.

TEZ13117Tez (Doktora) -- Çukurova Üniversitesi, Adana, 2020.Kaynakça (s. 135-142) var.XVII, 143 s. :_res. (bzs. rnk.), tablo ;_29 cm.Bu tezde, bakır sülfür (CuS, covellite) ince filmler, cam alt tabanlar üzerinde 27 °C (96 saat) ve 50 °C (7 saat) sıcaklıklarda farklı bakır tuz kaynakları kullanılarak kimyasal depolama yöntemi ile hazırlandı. Bakır sülfür ince filmlerin fiziksel özellikleri (yapısal, optik, morfolojik ve elektriksel) detaylı bir şekilde incelendi. X-ışını kırınım (XRD) analizlerinden filmlerin polikristal yapıda hekzagonal fazda oluştuğu tespit edildi. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik ve soğurma değerleri 400–1100 nm aralığında incelendi. Daha sonra bu değerler kullanılarak enerji bant aralığı Eg, yansıma R, sönüm katsayısı k, kırılma indisi n, reel ve imajiner dielektrik sabitler ?1, ?2 değerleri hesaplandı. Hall ölçümlerinden, CuS ince filmler p-tipi iletkenlik göstermiştir ve özdirenç değerleri bulunmuştur.In this thesis, copper sulfide (CuS, covellite) thin films were prepared by chemical bath deposition method on glass substrates using different copper salt sources at 27 °C (96 hours) and 50 °C (7 hours). The physical properties (structural, optical, morphological and electrical) of copper sulfide thin films were examined in detail. It was determined from the X-ray diffraction (XRD) analysis that the films were formed in the hexagonal phase in the polycrystalline structure. Optical transmittance and absorption values of the films at room temperature were examined in the range of 400–1100 nm. Then, using these values, energy band gap Eg, reflection R, extinction coefficient k, refractive index n, real and imaginary dielectric constant ?1, ?2 values were calculated. From Hall measurements, CuS thin films showed p-type conductivity and resistivity values were found