Electrıcal Characterıstıcs And Scatterıng Analysıs Of Ultrathın Barrıer Gan-Based Hıgh Electron Mobılıty Transıstors

Bu çalışmada MOCVD tekniği ile büyütülmüş ultraince bariyerli AlN/GaN ve In0,17Al0,83N/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının Hall etkisi ve taşıyıcı yoğunluğu ölçümleri 15-300 K sıcaklıkları aralığında ve 0,5 T sabit manyetik alan altında yapıldı. Ölçümler sonucunda 2-Boyutlu elektron gazı (2DEG) taşıyıcı yoğunlukları ve hareketlilikleri hesaplandı. Sıcaklığa bağlı Hall etkisi ölçüm sonuçları kullanılarak her bir numune için elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmalarının analizleri yapıldı. Saçılma analizleri sonucunda, deformasyon potansiyeli, korelasyon uzunluğu ve kuyu genişliği gibi numuneler ile ilgili parametreler belirlendi.In this study, Hall effect and sheet carrier density measurements of ultrathin barrier AlN/GaN and In0.17Al0.83N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures by MOCVD technique were performed at a temperature of 15-300K and 0.5T magnetic field. As a result of measurements, 2-dimensional electron gas (2DEG) sheet carrier densities and mobility were calculated. Analysis of scattering mechanisms affecting electron mobility for each sample was made using Hall effect measurement results based on temperature. As a result of the scattering analysis, the parameters related to the samples as deformation potential, correlation length and quantum well width were determined