Влияние водорода на отжиг радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии

Методом DLTS исследовалось влияние имплантированного водорода на отжиг точечных радиационных дефектов, генерируемых γ-облучением в эпитаксиальном кремнии. Для эксперимента использовались промышленные диоды Шоттки. Установлено, что внедрённый водород не влияет на параметры отжига E-центров, однако существенно понижает температуру отжига центра V-O-H и приводит к появлению ярко выраженных отрицательных стадий отжига A-центров. Обсуждается механизм данного эффекта