Влияние режимов термообработки на структурные и оптические свойства нанокристаллов InAs и GaSb в ионноимплантированном кремнии

В данной работе предложен метод синтеза прямозонных полупроводников A3B5 в кристаллической матрице кремния. Наблюдаемая полоса в спектрах фотолюминесценции образцов в диапазоне длин волн 1,15–1,5 мкм с максимумом при 1,3 мкм позволяет говорить о потенциальной возможности создания светоизлучающего источника, работающего на квантовых точках, для систем оптоволоконной связи