A few important implementations of proton beam induced damage in crystals to produce unique structures for microelectronics and optoelectronics are presented. = Представлен ряд разработок, доведенных до технологического исполнения, позволяющих получать уникальные структуры с использованием протонных пучков: создание структур кремний-на-изоляторе, создание внутренних геттерирующих слоев в кремнии и формирование межприборной изоляции на полупроводниках А3В5
В предположении послойного роста новой фазы проведено численное моделирование процессов плавления и ...
Секция 4. Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктурВ работе представлены результаты...
Разработана процедура, основанная на квазиклассическом описании процесса тормозного излучения в крис...
Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...
Установлены особенности взаимодействия двумерных световых пучков в фоторефрактивном кристалле SBN, п...
Изучено влияние механоактивации (МА) глинозема на изменение параметров его кристаллической решетки ...
イオンマイクロビームを用いた微細加工技術(Proton Beam Wrinting : PBW)の利用拡大の一環として、柔軟性があり様々な場所に実装することが可能な光導波路の開発を行っている。今回、フ...
Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеИсследован изотермический отжиг монокристаллов n-Ge, об...
Приводятся результаты исследований вольт-амперных характеристик тестовых встречно-штыревых структур,...
The program is described and the some examples of calculation of the dielectric functions for hetero...
Characteristics and constructional features of three-dimensional photon crystal-like structures are ...
В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...
Изучено влияние воздействия импульсного пучка релятивистских электронов на мезоскопические структурн...
Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы (FeIn2S4)0,5*(AgIn5S8)0,5, определен ...
The paper reviews the current status of the researches at the Chair of Inorganic Chemistry in the sy...
В предположении послойного роста новой фазы проведено численное моделирование процессов плавления и ...
Секция 4. Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктурВ работе представлены результаты...
Разработана процедура, основанная на квазиклассическом описании процесса тормозного излучения в крис...
Методом рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности полупроводниковых кристалло...
Установлены особенности взаимодействия двумерных световых пучков в фоторефрактивном кристалле SBN, п...
Изучено влияние механоактивации (МА) глинозема на изменение параметров его кристаллической решетки ...
イオンマイクロビームを用いた微細加工技術(Proton Beam Wrinting : PBW)の利用拡大の一環として、柔軟性があり様々な場所に実装することが可能な光導波路の開発を行っている。今回、フ...
Секция 2. Радиационные эффекты в твердом телеИсследован изотермический отжиг монокристаллов n-Ge, об...
Приводятся результаты исследований вольт-амперных характеристик тестовых встречно-штыревых структур,...
The program is described and the some examples of calculation of the dielectric functions for hetero...
Characteristics and constructional features of three-dimensional photon crystal-like structures are ...
В сборнике приведены доклады, представленные на 7-й Международной конференции «Взаимодействие излуче...
Изучено влияние воздействия импульсного пучка релятивистских электронов на мезоскопические структурн...
Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы (FeIn2S4)0,5*(AgIn5S8)0,5, определен ...
The paper reviews the current status of the researches at the Chair of Inorganic Chemistry in the sy...
В предположении послойного роста новой фазы проведено численное моделирование процессов плавления и ...
Секция 4. Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктурВ работе представлены результаты...
Разработана процедура, основанная на квазиклассическом описании процесса тормозного излучения в крис...