In der vorliegenden Arbeit wird ein elektrisch aktivierter Zustand von GaAs mit erhöhter elektrischer Leitfähigkeit untersucht. Dieser Zustand wird als 'angeregtes GaAs' bezeichnet. Experimentell wurde angeregtes GaAs durch Anlegen kurzer Spannungspulse an ein GaAs-Kristall erzeugt. Es entstand im Spannungspuls für Amplituden oberhalb einer Schwellenspannung und manifestierte sich in der Strom-Spannungscharakteristik durch einen Stromanstieg. Unter dem Einfluss eines THz-Feldes, zusätzlich zum Spannungspuls, wurde eine Reduktion der Leitfähigkeit beobachtet. Messungen an nicht-angeregtem GaAs zeigten eine dazu unterschiedliche Leistungsabhängigkeit der Reduktion. Eine Interpretation dieser Beobachtungen wird aus theoretischen Untersuchunge...
Erstmalig wurden für die VGF-Züchtung von GaAs-Kristallen die verschiedenen Möglichkeiten der Beeinf...
Dünne ErAs-Schichten, die mit MBE auf GaAs aufgewachsen wurden, zeigen sowohl metallische Leitfähigk...
In dieser Arbeit ist es erstmalig gelungen, mit Röntgen-Kleinwinkelstreuung Arsen-Ausscheidungen in ...
Die vorliegende Arbeit beschreibt Experimente zum ballistischen Elektronentransport in 2-dimensional...
Das Galliumarsenid ist z. Z. aufgrund seiner strukturellen und elektrischen Eigenschaften der wichti...
Es wird die Erzeugung von Terahertzfeld-induzierten Stoßionisationslawinen in GaAs-Mikrokristallen b...
Zur Charakterisierung mesoskopischer elektrischer Inhomogenitäten in undotiertem GaAs, die meist ein...
Die in dieser Arbeit erzielten Ergebnisse geben einen Einblick in die Einbaumechachanismen von Kohle...
Der Verbindungshalbleiter Galliumarsenid (GaAs) ist neben dem Indiumphosphid (InP) der weitverbreite...
Bei der Entwicklung analoger Abtastschaltungen stellt der Schalter als Schlüsselkomponente hohe Anfo...
In dieser Arbeit wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellte GaAs/AlAs- bzw. Al$_{0.7}$Ga$_{...
$\textbf{7.1 Wesentliche Ergebnisse der Arbeit}$Primäres Ziel dieser Arbeit war die Bereitstellung s...
Erstmalig wurden für die VGF-Züchtung von GaAs-Kristallen die verschiedenen Möglichkeiten der Beeinf...
Ausgehend von einem passiven Moell und den Schaltungsgleichungen wird das Übergangsverhalten von GaA...
Diese theoretische Arbeit beschäftigt sich mit der Musterbildung beim Stromtransport in dünnen dotie...
Erstmalig wurden für die VGF-Züchtung von GaAs-Kristallen die verschiedenen Möglichkeiten der Beeinf...
Dünne ErAs-Schichten, die mit MBE auf GaAs aufgewachsen wurden, zeigen sowohl metallische Leitfähigk...
In dieser Arbeit ist es erstmalig gelungen, mit Röntgen-Kleinwinkelstreuung Arsen-Ausscheidungen in ...
Die vorliegende Arbeit beschreibt Experimente zum ballistischen Elektronentransport in 2-dimensional...
Das Galliumarsenid ist z. Z. aufgrund seiner strukturellen und elektrischen Eigenschaften der wichti...
Es wird die Erzeugung von Terahertzfeld-induzierten Stoßionisationslawinen in GaAs-Mikrokristallen b...
Zur Charakterisierung mesoskopischer elektrischer Inhomogenitäten in undotiertem GaAs, die meist ein...
Die in dieser Arbeit erzielten Ergebnisse geben einen Einblick in die Einbaumechachanismen von Kohle...
Der Verbindungshalbleiter Galliumarsenid (GaAs) ist neben dem Indiumphosphid (InP) der weitverbreite...
Bei der Entwicklung analoger Abtastschaltungen stellt der Schalter als Schlüsselkomponente hohe Anfo...
In dieser Arbeit wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellte GaAs/AlAs- bzw. Al$_{0.7}$Ga$_{...
$\textbf{7.1 Wesentliche Ergebnisse der Arbeit}$Primäres Ziel dieser Arbeit war die Bereitstellung s...
Erstmalig wurden für die VGF-Züchtung von GaAs-Kristallen die verschiedenen Möglichkeiten der Beeinf...
Ausgehend von einem passiven Moell und den Schaltungsgleichungen wird das Übergangsverhalten von GaA...
Diese theoretische Arbeit beschäftigt sich mit der Musterbildung beim Stromtransport in dünnen dotie...
Erstmalig wurden für die VGF-Züchtung von GaAs-Kristallen die verschiedenen Möglichkeiten der Beeinf...
Dünne ErAs-Schichten, die mit MBE auf GaAs aufgewachsen wurden, zeigen sowohl metallische Leitfähigk...
In dieser Arbeit ist es erstmalig gelungen, mit Röntgen-Kleinwinkelstreuung Arsen-Ausscheidungen in ...