The nanostructures with Schottky barrier

Vieno matmens (1D) puslaidininkinės nanovielos (GaN, SnO2 ir kt.) suteikia puikias galimybes siekiant ištirti šių vielų elektros laidumo savybes bei šiluminę pernašą jose, kai keičiami šių nanovielų (nano-dydžio darinių) matmenys. Per keletą pastarųjų metų daugybė tyrėjų grupių publikavo daugybę straipsnių apie šiuos puslaidininkius, kurių pagrindas yra minėtos nanovielos. Tam tikslui savo darbe ištyriau keletos tokių nano-dydžio struktūrų n/Si-SiO2-Al ir Au/n-GaN laidumo savybes. Buvo ištirtos minėtų darinių elektros srovės priklausomybės nuo įtampos esant įvairioms temperatūroms, tai pat srovės temperatūrinės priklausomybės prie skirtingų įtampos verčių. Išmatuoti elektrinių laukų stipriai šiose struktūrose, elektrono ir fonono sąveikos konstanta, Šotkio barjero aukštis bei paviršinių būsenų tankis. Eksperimentiniai rezultatai buvo lyginami su teorinėmis elektrono tuneliavimo per barjerą tikimybėmis nuo elektrinių laukų stiprio bei temperatūros. Išmatuoti I-V-T matavimai gerai sutampa su teorinėmis W-E-T priklausomybėmis.Išanalizavus šiuos palyginimus buvo pastebėta,kad tuneliavimo mechanizmas yra dominuojantis stiprių elektros laukų srityje bei prie žemų temperatūrų.Esant kitoms sąlygoms dominuoja skirtingi teoriniai modeliai.Tai pat buvo pastebėta, kad idealumo faktoriaus vertė auga kylant įtampai.One-dimensional (1D) semiconductor nanowires (NWs) offer an excellent system for investigating the dependence of electrical and thermal transport on dimensionality and size reduction or quantum confinement effects. Over the past few years, many research groups have reported a variety of semiconductor nanowire-based devices for electronic and optoelectronic nanodevices.The conduction mechanisms in n/Si-SiO2-Al and Au/n-GaN structures have been investigated. In this way there were observed the current dependence of voltages by various temperature values, also the current dependence of temperatures by various voltage values, measured electrical field strengths in this structures, electron and phonon interaction constant, Schottky barrier height, and surface state density.The experimental data have been compared with the teorical tunneling probabilities depending on the strenght of the electric field and temperature. The obtained experimental I-V-T is a in good agreement with the theoretical W-E-T dependences. After the analysis of the measurement data it was shown that the tunneling mechanism is prevailing in the region of strong fields and low temperatures, while in other conditions is dominating different theoretical models. It has been observed that the ideality factor increased when of the values of applied voltage is increased too.Švietimo akademijaVytauto Didžiojo universiteta