BiPMOS integroitujen piirien valmistusprosessin kehittäminen, valmistus ja karakterisointi

Tässä työssä kehitettiin transistorivalmistusprosessi, jolla on mahdollista prosessoida samalle 100 mm piikiekolle sekä p-kanavaisia metalli-oksidi-puolijohde kenttävaikutteisia transistoreita (PMOSFET) että bipolaari liitos transistoreita (BJT). Prosessia, joka integroi edellä mainitut puolijohdekomponentit kutsutaan BiPMOS-prosessiksi. Ehdotettiin 5µm minimi viivanleveyden omaavat suunnittelusäännöt. Näillä suunnittelusäännöillä suunniteltiin maskisarja, joka sisältää PMOS transistoreita, BJT transistoreita, erilaisia testirakenteita sekä yksinkertaisia PMOS integroituja piirejä (virtapeilejä, inverttereitä, differentiaali vahvistimia, sekä rengas oskillaattoreita). Kehitetyllä BiPMOS-prosessilla sekä suunnitelulla maskisarjalla valmistettiin ja mitattiin ensimmäiset Teknillisessä korkeakoulussa prosessoidut BJT transistorit ja integroidut piirit. BiPMOS -prosessin kaikki osa-prosessit, prosessi parametrit, eri osa-prosessien vuorovaikutukset, prosessointiin liittyvät käytännön järjestelyt sekä ongelma alueet tutkittiin