Automatización de la adquisición y análisis de parámetros indicadores de degradación en MOSFET de potencia

Tesis (Lic. en Cs. de la Computación)--Universidad Nacional de Córdoba, Facultad de Matemática, Astronomía, Física y Computación, 2020.Los transistores MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) de potencia se utilizan principalmente para amplificar o conmutar señales electrónicas. Existen aplicaciones en las que estos transistores trabajan sometidos a condiciones de estrés que, sostenidas en el tiempo, producen cierto nivel de degradación que puede agravarse hasta la rotura del dispositivo. En estos casos resulta de interés conocer el grado de degradación de los MOSFET, el cual se puede identificar analizando sus parámetros físicos y de funcionamiento. El objetivo del presente trabajo es automatizar la medición de algunos de esos parámetros. Para esto, se desarrolla una herramienta capaz de medir, clasificar, analizar y mostrar los parámetros indicadores de degradación del MOSFET.Power MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) are mainly used to amplify or switch electronic signals. There are applications in which these transistors operate under stress conditions that, sustained over time, produce a certain level of degradation that can be aggravated until the device breaks. In these cases it is of interest to know the degree of degradation of the MOSFETs, which can be identified by analyzing their physical and operating parameters. The objective of this work is to automate the measurement of some of these parameters. In order to do so, a tool capable of measuring, classifying, analysing and presenting the parameters that indicate the MOSFET degradation is developed.Fil: Acosta Bazán, Alejandra Celestina. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía, Física y Computación; Argentina