The contribution of the present thesis consists of three parts. They are centered around investigating certain semiconductor heterointerfaces relevant to spin injection, exploring novel, diluted magnetic single barrier tunneling structures, and further developing diluted magnetic II-VI resonant tunneling diodes.Der Beitrag der vorliegenden Arbeit besteht aus drei Teilen. Diese beschäftigen sich mit der Untersuchung bestimmter, für Spininjektion relevanter, Halbleiter Heterogrenzflächen, mit neuartigen, verdünnt magnetischen Einzelbarrieren-Tunnelstrukturen, sowie mit der Weiterentwicklung von verdünnt magnetischen Resonanz-Tunneldioden
This chapter reviews the physics of spin-dependent tunneling in magnetic tunnel junctions, i.e. ferr...
L'effet tunnel dépendant du spin dans les structures métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnét...
In this thesis two phenomena of the spin-dependent ballistic transport are investigated theoreticall...
In this work we investigate magnetic resonant tunneling diode (RTD) structures for spin manipulation...
We investigate transport measurements on all II-VI semiconductor resonant tunneling diodes (RTDs). B...
C. Chappert A. Fert M. Hehn F. Nguyen Van Dau A. Schuhl A. ThiavilleStudies of the spin dependent tu...
Materialen mit sehr hoher Spinpolarisation werden für Anwendungen im Bereich der Spin-Elektronik ben...
Materialen mit sehr hoher Spinpolarisation werden für Anwendungen im Bereich der Spin-Elektronik ben...
Ziel dieser Arbeit ist die Bestimmung der Spinpolarisation von der Heusler-Verbindung Co2Cr0,6Fe0,4A...
Spin polarized tunneling and spin injection in Fe-GaAs hybrid structures DISSERTATION zur Erlangung ...
Magnetic heterostructures constitute an important field in magnetism and nanotechnology, which has d...
?Das Forschungsfeld der Spintronik erfordert bei der Untersuchung der elektronischenTransmission, di...
Spintronics devices are the future of the electronics industry. One of the most attractive proposed ...
Spin-dependent tunneling in a ferromagnetic conductor/ semiconductor is analyzed with zero external ...
We propose a spin-valve device consisting of a nonmagnetic semiconductor quantum well, sandwiched be...
This chapter reviews the physics of spin-dependent tunneling in magnetic tunnel junctions, i.e. ferr...
L'effet tunnel dépendant du spin dans les structures métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnét...
In this thesis two phenomena of the spin-dependent ballistic transport are investigated theoreticall...
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