Aplikace laserového povrchového leštění na součásti vyrobené ze superslitiny Inconel 718 na bázi niklu pomocí aditivní výroby

Tento článek se zabývá vlivem procesních parametrů na konečnou kvalitu povrchu po aplikaci povrchového leštění u součástí vyrobené ze super slitiny Inconel 718 na bázi niklu pomocí aditivní výroby. Cílem je optimalizovat procesní parametry laserového leštění za účelem snížení povrchové drsnosti vzorků. Zkoumanými parametry jsou rychlost pohybu laseru, frekvence, odsazení fokusační vzdálenosti, pulzní a kontinuální režim. Vzorky z Inconelu 718 jsou vyrobeny pomocí technologie DMLS (direct metal laser sintering). V závislosti na orientaci dílu při tisku dosahuje povrch drsností pohybující se v rozmezí Ra 5–12 µm. V tomto případě došlo ke zpracování vzorků pomocí konvenčního obrábění před aplikací laserového leštění za účelem dosažení rovnoměrnosti monitorovaného povrchu. K vyhodnocení povrchů byl použit optický 3D mikroskop IFM – G4. Drsnost povrchu u vzorků před aplikací laserového leštění se pohybovala mezi Ra 1–2 µm. Po aplikaci laserového leštění se podařilo tuto drsnost povrchu výrazně snížit na hodnotu Ra 0,369 µm.This article deals with the influence of laser polishing parameters on the final surface quality of nickel-based superalloy Inconel 718 produced by metal additive manufacturing. The aim is to optimize the laser polishing process parameters to reduce the surface roughness of the sample. The investigated parameters of the laser are scanning speed, frequency, focal length, and pulsed and continuous wave regimes are considered. The samples of Inconel 718 are produced by direct metal laser sintering technology. Depending on the printing orientation, the roughness after AM is Ra 5 – 12 μm. The samples were machined to ensure uniformity of the monitored and tested surface. An IFM – G4 3D optical microscope is used for the surface evaluation. The initial roughness of the samples before applying laser polishing was Ra 1 - 2 μm. The roughness after laser polishing is significantly reduced to Ra 0.369 μm