Penelitian mengenai pengaruh tegangan terhadap deposisi karbon telah dilakukan. Metode yang digunakan untuk penelitian ini adalah sputtering. Dilakukan pembuatan beberapa alat yang ditambahkan ke dalam sistem plasma untuk mendukung proses deposisi. Parameter yang digunakan pada proses deposisi adalah tekana 40 pa, laju alir 54 ml/menit, jarak substrat dengan bahan target 55 mm, suhu substrat 200 0C, waktu deposisi 1 jam dan teganga divariasi sebesar 80 volt, 100 volt dan 120 volt. Karbon yang digunakan untuk proses deposisi ini berbentuk pellet dan yang digunakan sebagai pembombardirnya adalah plasma argon. Karakterisasi plasma argon dilakukan menggunakan optical emission spectroscopy (OES) Aurora 4000 dengan acuan database NIST ...
Telah dilakukan perancangan alat ukur, pengukuran dan karakterisasi impedansi plasma dari sistem pla...
Eksperimen pembangkitan plasma lucutan pijar korona telah dilakukan dengan menggunakan konfigurasi e...
Sistem plasma Chemical Vapor Deposition (CVD) telah dirancang untuk deposisi lapisan karbon di atas ...
Telah dilakukan perancangan pada sistem plasma dan pengaruh variasi tekanan chamber terhadap deposis...
Penelitian mengenai karakterisasi plasma argon pada deposisi lapisan tipis karbon telah dilakukan. P...
Plasma secara garis besar merupakan suatu gas yang terionisasi. Plasma terbentuk dari gas yang terio...
Telah dilakukan deposisi lapisan tipis karbon di atas substrat dengan teknik sputtering. Bahan targe...
Quartz Crystal Microbalance (QCM) merupakan perangkat yang terdiri dari kristal kuarsa dan dilapisi ...
Penelitian mengenai modifikasi lapisan tipis polistiren dan karakterisasi plasma oksigen telah dila...
Proses etsa kristal SiO¬2 dapat dilakukan dengan menggunakan metode plasma etching dengan gas CH2FCF...
Telah dibuat desain dan rancang bangun sistem Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD) untuk deposisi ...
Penumbuhan lapisan tipis dengan metode Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD), telah berhasil dibuat...
-Teknik konvensional yang selama ini dipakai untuk menepatkan wahana atau obyek buatan ke luar angka...
Metode Sputtering adalah salah satu metode deposisi untuk membentuk lapisan karbon yang memerlukan b...
Proses deposisi lapisan tipis bisa dilakukan dengan metode plasma sputtering dengan gas argon. Plasm...
Telah dilakukan perancangan alat ukur, pengukuran dan karakterisasi impedansi plasma dari sistem pla...
Eksperimen pembangkitan plasma lucutan pijar korona telah dilakukan dengan menggunakan konfigurasi e...
Sistem plasma Chemical Vapor Deposition (CVD) telah dirancang untuk deposisi lapisan karbon di atas ...
Telah dilakukan perancangan pada sistem plasma dan pengaruh variasi tekanan chamber terhadap deposis...
Penelitian mengenai karakterisasi plasma argon pada deposisi lapisan tipis karbon telah dilakukan. P...
Plasma secara garis besar merupakan suatu gas yang terionisasi. Plasma terbentuk dari gas yang terio...
Telah dilakukan deposisi lapisan tipis karbon di atas substrat dengan teknik sputtering. Bahan targe...
Quartz Crystal Microbalance (QCM) merupakan perangkat yang terdiri dari kristal kuarsa dan dilapisi ...
Penelitian mengenai modifikasi lapisan tipis polistiren dan karakterisasi plasma oksigen telah dila...
Proses etsa kristal SiO¬2 dapat dilakukan dengan menggunakan metode plasma etching dengan gas CH2FCF...
Telah dibuat desain dan rancang bangun sistem Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD) untuk deposisi ...
Penumbuhan lapisan tipis dengan metode Plasma Chemical Vapor Deposition (CVD), telah berhasil dibuat...
-Teknik konvensional yang selama ini dipakai untuk menepatkan wahana atau obyek buatan ke luar angka...
Metode Sputtering adalah salah satu metode deposisi untuk membentuk lapisan karbon yang memerlukan b...
Proses deposisi lapisan tipis bisa dilakukan dengan metode plasma sputtering dengan gas argon. Plasm...
Telah dilakukan perancangan alat ukur, pengukuran dan karakterisasi impedansi plasma dari sistem pla...
Eksperimen pembangkitan plasma lucutan pijar korona telah dilakukan dengan menggunakan konfigurasi e...
Sistem plasma Chemical Vapor Deposition (CVD) telah dirancang untuk deposisi lapisan karbon di atas ...