В данной работе изучены процессы локализации оптических вихрей в трёхчастных брэгговских мультигеликоидальных оптических волокнах, в которых соседние участки с противоположными направлениями закрутки разделены фазовыми дефектами скрутки. Показано, что данные волокна способны нести локализованные вблизи фазовых дефектов скрутки оптические вихри, интенсивность которых значительно превышает интенсивность входящего поля. In this paper we have studied the localization of optical vortices in three-part Bragg multihelicoidal optical fibers, in which the adjacent parts of the fiber with opposite directions of twist are separated by phase twist defects. It is shown that these fibers can carry localized near phase defects optical vortices, whose int...
С использованием метода электростатического формования из растворов поли-3- гидроксибутирата получе...
Выполнена параметризация конструкции волоконно-оптического датчика перемещения бинарного типа. Приво...
Рассматривается явление Гиббса для граничного условия магнитного поля в виде ступенчатого распределе...
В настоящее время к одним из наиболее эффективных преобразователей, отвечающих высоким требованиям ...
Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основеУстановлено, ...
Проведены расчеты с использованием метода трансфер матриц одномерных фотонных кристаллов с элементам...
В статье рассмотрена конструкции автономного квантового датчика для регистрации вариации магнитного ...
Проведены расчёты с использованием метода трансфер матриц одномерных фотонных кристаллов с низким ко...
Рассмотрен электрооптический эффект в мультислойном фотонном кристалле с жидкокристаллическим слоем...
У роботі досліджено оптичні, електричні та фотоелектричні властивості маловивчених халькоге...
Формалізовано синтез структури підсистеми виявлення волоконно-оптичного типу, в результаті якого роз...
隨著半導體技術的演進,從90奈米的應變矽技術到45奈米的高介電材料的金屬閘極技術,直到近年來發展的鰭式場效電晶體技術,說明了尺寸的微縮已經到了一個瓶頸,必須利用結構上的改變來跟上摩爾定律。因此大家爭相...
Electrically controlled diffractive elements, based on spatially modulated layers of the LC, allowin...
Выполнен расчет напряженности электростатического осесимметричного поля на основе решения интегральн...
547-552Предлагается новый метод расчета диэлектрической проницаемости оптических волокон с использов...
С использованием метода электростатического формования из растворов поли-3- гидроксибутирата получе...
Выполнена параметризация конструкции волоконно-оптического датчика перемещения бинарного типа. Приво...
Рассматривается явление Гиббса для граничного условия магнитного поля в виде ступенчатого распределе...
В настоящее время к одним из наиболее эффективных преобразователей, отвечающих высоким требованиям ...
Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основеУстановлено, ...
Проведены расчеты с использованием метода трансфер матриц одномерных фотонных кристаллов с элементам...
В статье рассмотрена конструкции автономного квантового датчика для регистрации вариации магнитного ...
Проведены расчёты с использованием метода трансфер матриц одномерных фотонных кристаллов с низким ко...
Рассмотрен электрооптический эффект в мультислойном фотонном кристалле с жидкокристаллическим слоем...
У роботі досліджено оптичні, електричні та фотоелектричні властивості маловивчених халькоге...
Формалізовано синтез структури підсистеми виявлення волоконно-оптичного типу, в результаті якого роз...
隨著半導體技術的演進,從90奈米的應變矽技術到45奈米的高介電材料的金屬閘極技術,直到近年來發展的鰭式場效電晶體技術,說明了尺寸的微縮已經到了一個瓶頸,必須利用結構上的改變來跟上摩爾定律。因此大家爭相...
Electrically controlled diffractive elements, based on spatially modulated layers of the LC, allowin...
Выполнен расчет напряженности электростатического осесимметричного поля на основе решения интегральн...
547-552Предлагается новый метод расчета диэлектрической проницаемости оптических волокон с использов...
С использованием метода электростатического формования из растворов поли-3- гидроксибутирата получе...
Выполнена параметризация конструкции волоконно-оптического датчика перемещения бинарного типа. Приво...
Рассматривается явление Гиббса для граничного условия магнитного поля в виде ступенчатого распределе...