磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究

本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 s;当退火温度为650℃时,薄膜的致密性最好,且在此温度下具有较高的Seebeck系数,最大值为6.75×10^-4 V/K,电阻率最小值为1.6×10^-5Ω·m,其功率因子最大值为0.026 W/（m·K^2）