Фазообразование в пленочной композиции Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(100 нм)/SiO2(370нм) на монокристаллическом кремнии ориентации (001)

Методами рентгенівської дифракції, растрової електронної мікроскопії і резистометрії досліджені твердотільні реакції в плівковій композиції Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(100 нм)/SiO2(370 нм) на монокристалічному кремнії орієнтації (001). Досліджувану плівкову композицію отримано послідовним електронно-променевим осадженням шарів елементів у вакуумі не нижче 10^-4 Па без розвакуумування на підкладку кремнію з шаром оксиду на поверхні. Вакуумні відпали зразків про водились у температурному інтервалі 770 – 1170 К протягом однієї години. Встановлено, що перша силіцидна фаза міді Cu15Si4 формується після відпалу при температурі 970 К, а відпал при 1070 К супроводжується утворенням потрійної сполуки СuTiSi і TiSi2.Using the methods of X-ray diffraction, scanning electron microscopy and resistometry measurements, we investigated the solid-state reactions in the Ti(200 nm)/Cu(200 nm)/Ti(100 nm)/SiO2(370nm) multilayered film composition on the monocrystaline silicon of (001) orientation. We obtained the film composition by the consecutive electron-beam deposition of the element layers in vacuum of about 10^-4 Pa without breaking vacuum on the silicon substrate with the oxide layer, which was grown by wet oxidation on the surface. The film composition specimens were exposed to series of annealings in the 770–1170K temperature range for one hour. We determined that the first Cu15Si4 silicide phase was formed after the annealing at 970K for one hour. We illustrated that the annealing at 1070K was accompanied by formation of ternary CuTiSi compound and TiSi2.Методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии и резистометрии исследованы твердотельные реакции в пленочной композиції Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(100 нм)/SiO2(370 нм) на монокристаллическом кремнии ориентации (001). Исследуемая пленочная композиция была получена последовательным электронно-лучевым осаждением слоев элементов в вакууме не ниже 10^-4 Па без развакуумирования на подложку кремния со слоем оксида на поверхности. Вакуумные отжиги образцов проводились в температурном интервале 770–1170 К на протяжении одного часа. Установлено, что первая силицидная фаза меди Cu15Si4 формируется после отжига в вакууме при температуре 970 К, а отжиг при 1070 К сопровождается образованием тройного соединения СuTiSi і TiSi2