電子封裝製程,常以銲料連接各電子元件,鉛金屬已被證實神經毒性,傷害生殖系統和胚胎發展,考量環境保護等議題,近來已逐漸被無鉛銲料取代,錫為無鉛銲料之主要元素,錫與銅界面反應形成介金屬化合物IMC(intermetallic compound),其結構影響銲點的可靠性,前人研究,有些電鍍銅添加劑會影響IMC結構,在IMC層形成孔洞與雜質。本研究著重在探討電鍍銅貯存時間及鎳層對IMC的影響。 以電鍍銅為基材,PC電鍍銅配方有添加劑PEG 200 ppm、Cl- 60 ppm,電鍍銅與錫迴銲於260℃ 30s,其介金屬層生成孔洞之層狀結構,為了解電鍍銅放置後,貯存時間是否影響介金屬結構的孔洞與雜質,進行貯存時間實驗,貯存條件為25~30℃,濕度60%~70%。由實驗結果,貯存時間0~720h對IMC厚度影響不大,而150℃、200℃熱處理,貯存時間對銲點雜質差異不大。 鎳層可作為銅與錫的阻障層,鎳與錫形成介金屬Ni3Sn4,避免銅錫介金屬過度生成,PC配方電鍍銅再電鍍上一層鎳,觀察銅/鎳/錫界面結構。由實驗結果,阻障層鎳可避免銅錫快速擴散,當熱處理時間增加,鎳逐漸擴散進入錫銲料,阻障層越來越薄,消耗完後,銅錫進行界面反應,生成介金屬(Ni,Cu)6Sn5、(Ni,Cu)3Sn,介金屬層厚度增加,並觀察到些許孔洞。Solder used in packaging comprehensively connects to electronic components. Lead solder poisoning and toxic is proved. The Restriction of Hazardous Substances Directive (RoHS) adopt...