Investigación de efectos de temperatura en parámetros fotoeléctricos de fotoconductores determinados por medio de la técnica de rejilla dinámica

"El interés por caracterizar materiales semiconductores con propiedades fotoeléctricas a diferentes temperaturas es de gran importancia debido a que proporciona parámetros importantes para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. Utilizamos dos técnicas para caracterizar el material. El material se coloca dentro de un criostato para controlar la temperatura. La primera técnica consiste en tomar mediciones de corriente contra voltaje (I-V) y la segunda técnica está basada en la fuerza foto electromotriz (F-FEM) no estacionaria. En I-V se aplica un voltaje en el material, se mide la corriente a diferentes temperaturas y se incide un láser en la muestra. Con la relación I-V se determina la conductividad y la fotoconductividad así como la energía de activación ( ). En F-FEM, se induce una corriente alterna por medio de un patrón de interferencia oscilante en frecuencia espacial y temporal para excitar el material a diferentes temperaturas.