Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галлия без термического отжига чувствительны к УФ-излучению с λ = 222 нм только при обратных смещениях. Термический отжиг исследуемых пленок не меняет механизма протекания тока в структурах, при этом чувствительность структур Ga2O3/ n -GaAs к УФ-излучению повышается на порядок