Struktur kristal, dan Sifat Optik Bahan Semikonduktor CdSe Lapisan Tipis Hasil Preparasi dengan Teknik Closed Space Vapor Transport untuk Aplikasi Sel Surya

Penelitian ini bertujuan melakukan preparasi dan karakterisasi meliputi struktur, komposisi kimia, morfologi permukaan dan energy gap bahan semikonduktor CdSe lapisan tipis. Preparasi bahan menggunakan teknik Closed Space Vapor Transport (CSVT). Hasil preparasi selanjutnya dikarakterisasi untuk mengetahui struktur kristal menggunakan X-Ray Diffraction (XRD). Selanjutnya Komposisi Kimia dan Morfologi permukaan diketahui dengan sistem terintegrasi Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) dan Scanning Electron Microscope (SEM). Sedangkan Energy gap ditentukan dengan fotospektrometry.. Hasilnya menunjukkan bahwa seluruh senyawa berbentuk polikristal dalam sistem Heksagonal dengan parameter kisi (dalam angstroom) a = b= 4,289dan c = 7,032. Selanjutnya hasil SEM menunjukkan bahwa lapisan tipis adalah homogen dengan ciri Kristal tampak dengan ukuran butiran (grain) berorde antara 1 mm sampai 5 mm, dengan komposisi kimia non stoichiometri,dan energy gap CdSe sebesar 1,65 eV