[[abstract]]本論文係提出一運用於阻抗軌跡設計法(Impedance Locus)之低相位雜訊電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillator, VCO)。我們採用阻抗軌跡法設計900MHz及1.8GHz之低雜訊電壓控制振盪電路。理論部分是Kurokawa在1969年由負電阻振盪器模型中所演繹出振盪形成的充分且必要條件,振盪器的頻率和輸出功率可經由device line 和impedance locus來預測,阻抗軌跡法常被使用在改善振盪器的相位雜訊表現。在每個振盪點上,元件和負載軌跡都會有一夾角 ,若此角度為 ,則該振盪點為一穩態振盪,且當角度為 90°時相位雜訊為最低的。實作電路方面,電晶體我們採用Agilent 公司的ATF-55143 Low Enhancement Mode MOSFET,壓變電容二極體是採用TOSHIBA公司的1SV239之元件,使用阻抗軌跡設計法分別實作出900MHz及1.8GHz之低雜訊電壓控制振盪電路。模擬與量測結果顯示使用阻抗軌跡設計法之電壓控制振盪器確實改善了相位雜訊性能表現。 900 MHz之電壓控制振盪器相位雜訊在位移頻率100kHz時低於-114 dBc/Hz,較未使用該設計法之振盪器改善約9 dB。1.8 GHz之電壓控制振盪器相位雜訊在位移頻率100kHz時低於-111 dBc/Hz,較未使用該設計法之振盪器改善約7 dB。[[abstract]]This thesis develops a 900 MHz and a 1.8 GHz low noise voltage-controlled oscillator (VCO) by using impedance locus. In 1969,...
[[abstract]]本論文主要以CMOS製程去實現射頻接收機前端電路,研究主題大致上可分成四個部分: 第一部份為3.1-10.6-GHz頻段,使用兩級共源級實現低雜訊放大器,藉由提供第一級偏壓以及...
Приведены результаты разработки и исследований генератора, управляемого напряжением (ГУН), S-диапаз...
近年來隨著積體電路製程的縮小化,必須將更多元件集結在單一晶片上,因此電路複雜度也隨之增加,同時要考慮到速度及功率問題成為一大課題。 這篇論文主要探討一個加快電路速度的有效方法,並組成更...
[[abstract]]本論文係提出一運用於阻抗軌跡設計法(Impedance Locus)之低雜訊電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillator, VCO)。我們採用阻抗...
[[abstract]]本論文係提出一運用於無線通訊頻段之低雜訊電壓控制振盪器(VCO,Voltage-Controlled Oscillator)設計,採用LC諧振振盪器(LC-tank Oscil...
Проведен сравнительный анализ шумовых характеристик кварцевых генераторов и генераторов, управляемых...
碩士積體電路設計研究所[[abstract]]在本論文中,設計了兩種電壓控制振盪器,各操作於8GHz、10GHz的頻段,皆以TSMC 0.18μm CMOS製程元件model為基礎來進行電路設計。 ...
[[abstract]]本論文共設計了一個低雜訊放大器及壓控振盪器線路設計,以900MHZ低雜訊放大器設計為主要架構,這具有改善消秏功率的CS組態,ADS模擬結果顯示了其具有大於16 199dB的功率...
碩士工業教育與技術學系[[abstract]]對行動通訊而言,若是想要有更多的頻道可使用,對本地振盪器的相位雜訊要求就更嚴格。故對相位雜訊的預估與量測就顯得更為重要。 時至今日,雖然已有一些壓控振盪器...
碩士工業教育與技術學系[[abstract]]在現代的射頻的通訊系統中,本位振盪器一般被用來對訊號做混波用。因此,對於本位振盪器要求有較高的效能及較低的成本。由於CMOS差動互耦LC振盪器有好的相位雜...
碩士積體電路設計研究所[[abstract]]在本論文中,一共設計了三種電壓控制振盪器晶片,各操作於不同的頻段,皆以TSMC 0.18μm CMOS製程元件model為基礎來進行電路設計。 我們所設計...
碩士積體電路設計研究所[[abstract]]在本論文所設計的兩顆壓控震盪器分別操作在超寬頻系統與10GHz,使用台積電的0.18微米1P6M CMOS製成進行模擬與電路設計。 首先我們先提出...
碩士電機工程學系[[abstract]]本論文設計應用在WCDMA之低雜訊放大器、功率放大器和整數-N頻率合成器,使用台積電的0.18微米1P6M CMOS製程進行模擬與電路實現。首先我們提出一個應用...
[[abstract]]本論文係提出一運用於全球微波存取互通介面(Worldwide interoperability for Microwave Access, WiMAX)系統之低雜訊電壓控制振盪...
碩士積體電路設計研究所[[abstract]]本論文主要是利用台積電的0.18微米1P6M CMOS製程設計應用於超寬頻系統前端電路中之低雜訊放大器。第一顆晶片是應用於2到11 GHz低雜訊放大器,這...
[[abstract]]本論文主要以CMOS製程去實現射頻接收機前端電路,研究主題大致上可分成四個部分: 第一部份為3.1-10.6-GHz頻段,使用兩級共源級實現低雜訊放大器,藉由提供第一級偏壓以及...
Приведены результаты разработки и исследований генератора, управляемого напряжением (ГУН), S-диапаз...
近年來隨著積體電路製程的縮小化,必須將更多元件集結在單一晶片上,因此電路複雜度也隨之增加,同時要考慮到速度及功率問題成為一大課題。 這篇論文主要探討一個加快電路速度的有效方法,並組成更...
[[abstract]]本論文係提出一運用於阻抗軌跡設計法(Impedance Locus)之低雜訊電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillator, VCO)。我們採用阻抗...
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近年來隨著積體電路製程的縮小化,必須將更多元件集結在單一晶片上,因此電路複雜度也隨之增加,同時要考慮到速度及功率問題成為一大課題。 這篇論文主要探討一個加快電路速度的有效方法,並組成更...