[[abstract]]本論文係提出一運用於全球微波存取互通介面(Worldwide interoperability for Microwave Access, WiMAX)系統之低雜訊電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillator, VCO)設計。一般WiMAX頻段是座落在3.4GHz~3.6GHz,因此我們採用LC諧振振盪器( LC-tank Oscillator )型式來設計3.4GHz之低雜訊電壓控制振盪電路。理論部分則使用正回授、負電阻與反射係數型式之觀點分析,並藉由分析壓變電容二極體( Varactor )之特性,成功推導出輸出頻率與電路設計參數之關係。此外,我們也結合Agilent ADS(Advances Design System)模擬軟體來進行電路設計以及模擬。實作電路方面電晶體我們則是採用Agilent 公司的ATF-55143 Low Enhancement Mode MOSFET,壓變電容二極體是採用TOSHIBA公司的JDV2S02E之元件。最後模擬與實作之量測結果進行交叉分析比較,結果顯示我們所設計之電壓控制振盪器性能表現相當優異,3.4 GHz低雜訊電壓控制振盪電路輸出功率為-4.65dBm,輸出訊號在頻率位移100 kHz時相位雜訊可低於-104.22dBc/Hz,其操作頻率可涵蓋3.415~3.55 GHz。 由於數位電視的需求日益增加,技術也越來越成熟,因此寬頻調諧電路在RF設計上也相對變得重要。本論文因此也設計一應用於數位電視系統(48-682 MHz)之寬頻電壓控制振盪器,以雙次轉頻的架構中的第一中頻本地振盪之標準,其頻率範圍需在815 MHz以上。本論文使用平衡式電壓控制振盪器( Balanced VC...
隨著下一代行動通訊(5G)相關之放大器研究與日俱增,由於頻寬的短缺及更高傳輸速率的需求,操作頻率往毫米波發展已成必然的趨勢。 本論文主要分成三部分:第一部分為接收器前端電路之高線性度低雜訊放大器相關研...
In recently, the requirement of high speed data rate has reached several gigabit level with the deve...
[[abstract]]本論文以壓控震盪器為研究目標。研究主題分成兩部分: 第一部分為可調式源極衰減技術壓控振盪器,可調式源極衰減技術可以降低MOS寄生電容Cgs而提高可調範圍。此部份以兩個實例來探...
[[abstract]]本論文提出一個高性能的互補金氧半導體(CMOS)壓控環型震盪器(VCRO)的研究,目的是為了瞭解VCRO在標準CMOS技術實現下,應用在多個GHz時的限制。為了實現低電壓和寬調...
[[abstract]]本論文以低雜訊放大器與功率放大器為研究目標。我們設計與實作了一顆低雜訊放大器應用於3.1~10.6 GHz與兩顆應用在K頻帶的功率放大器。研究主題主要分成三部分: 第一...
這本論文中包含了三個部分,第一個部分是用於天文應用的K 頻段pHEMT 製程高增益低雜訊放大器,模擬結果顯示這個低雜訊放大器在18.5 GHz 到30GHz 的頻率範圍間擁有29 dB 的小訊號增益,...
在台積電0.18微米互補式金氧半製程下,我們實現了一個具有電流泵自動校正電路之分數型頻率合成器。基於在校正時我們使用同一個電流泵,通道長度調變效應造成的電流泵不匹配將被消除。實驗結果顯示,經過校正後的...
此論文依據不同應用的三個毫米波前端電路而分成三個部份論述。 第一部分呈現一個利用0.15微米高速電子遷移率電晶體製程(HEMT)設計應用於天文觀測的Q頻段低雜訊放大器(LNA)。此低雜訊放大器採用π型...
由於近年來CMOS 在高頻特性下之進展,使其成為實現低價無線通訊系統的熱 門製程。除了傳統射頻系統之外,CMOS 也應用於低功率、低電壓之積體化電路,例 如:射頻識別(RFID)與無線感測網路(wir...
隨著通訊技術和晶片研製技術的演進,毫米波頻帶快速的發展。這是由於毫米波頻帶在無線傳輸應用上擁有較大的頻寬且高速傳輸。在本論文中,兩種不同用途的放大器,分別為低雜訊放大器以及可變增益放大器,兩者均利用金...
在本論文中,將介紹在通訊系統中產生穩定的載波所需要的鎖相迴路的二個重要電路,壓控振盪器和注入鎖定之除頻器。並將此二個電路設計、量測。 此二個電路都有著低功率和寬頻的特性。 第一個K-band 壓控振盪...
博士電機工程學系[[abstract]]通信積體電路在近年來、低功率、低成本、高積體化已成為一種趨勢。 在本論文中,我們提出應用於UWB接收機的寬頻低功率低雜訊放大器( LNA ),應用於IEEE 8...
[[abstract]]本論文以操作頻率在3~10GHz(Ultra-Wideband),57~64GHz(V-band)以及77~81GHz(W-band)之低雜訊放大器設計與實現為研究目標。研究主...
[[abstract]]本論文主要以台積電90奈米CMOS製程來實現W頻帶低雜訊放大器與W頻帶功率放大器。研究主題由以下三個部份構成: 第一部份為應用於W頻帶系統之77~81 GHz低雜訊放大器。為...
[[abstract]]本計畫之目標在於配合總計畫發展一前瞻性低雜訊頻率合成器以應用於新世代無線通訊系統。此一低雜訊頻率合成器主要運用了兩種前瞻性雜訊抑制技術來分別降低鎖相迴路(PLL, Phase-...
隨著下一代行動通訊(5G)相關之放大器研究與日俱增,由於頻寬的短缺及更高傳輸速率的需求,操作頻率往毫米波發展已成必然的趨勢。 本論文主要分成三部分:第一部分為接收器前端電路之高線性度低雜訊放大器相關研...
In recently, the requirement of high speed data rate has reached several gigabit level with the deve...
[[abstract]]本論文以壓控震盪器為研究目標。研究主題分成兩部分: 第一部分為可調式源極衰減技術壓控振盪器,可調式源極衰減技術可以降低MOS寄生電容Cgs而提高可調範圍。此部份以兩個實例來探...
[[abstract]]本論文提出一個高性能的互補金氧半導體(CMOS)壓控環型震盪器(VCRO)的研究,目的是為了瞭解VCRO在標準CMOS技術實現下,應用在多個GHz時的限制。為了實現低電壓和寬調...
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博士電機工程學系[[abstract]]通信積體電路在近年來、低功率、低成本、高積體化已成為一種趨勢。 在本論文中,我們提出應用於UWB接收機的寬頻低功率低雜訊放大器( LNA ),應用於IEEE 8...
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[[abstract]]本計畫之目標在於配合總計畫發展一前瞻性低雜訊頻率合成器以應用於新世代無線通訊系統。此一低雜訊頻率合成器主要運用了兩種前瞻性雜訊抑制技術來分別降低鎖相迴路(PLL, Phase-...
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