Study of selective etching of dielectric materials using remote chemical dry etching and related applications in the microelectronic manufacturing

Les procédés de gravure sélectives par plasma déporté rencontrent un intérêt croissant pour les schémas d’intégration des nœuds technologiques en développement pour la micro-électronique. Ces procédés offrent des sélectivités importantes et modulables pour des vitesses de gravure compatibles avec des retraits de couches d’épaisseur très variables.Néanmoins les processus mis en jeu sont encore mal connus et les potentialités restent à estimer. Dans ce contexte, une chambre de gravure à plasma déporté est en cours d’installation sur une plateforme de gravure au LTM.Selective etching process by remote plasma meet an increasing interest for integration schemes used to develop the latest technology nodes in the microelectronic industry. Those processes offer high and flexible selectivities, and in the meantime etching rates compatible with industrial applications. Nevertheless chemical reactions involved are not well understood and real potentials of this method probably underestimated. In this context, a new CDE chamber is being currently installed at the LTM labs (CNRS)