Development Of SiO2 On 4H-SiC By Direct Thermal Oxidation And Post Oxidation Annealing In HNO3 & H2O Vapour

The need to thermally grow a thick SiO2 film (>50 nm) with high breakdown voltage (> 5 MV/cm at 1 uA/cm2) is crucial for high power devices (> 600 V) applications. Keperluan menghasilkan filem tebal SiO2(> 50 nm) dengan keupayaan pecahan voltan yang lebih tinggi (> 5 MV/cm pada 1 uA/cm2) melalui kaedah pengoksidaan terma adalah sangat penting bagi aplikasi peranti kuasa tinggi (> 600 V)