Вплив інтерфейсного розсіювання на електрофізичні властивості плівкових матеріалів

The estimation procedure of contribution of electron scattering on boundaries of layers (interface) in thin films system was suggested. The method is based on comparison of resistivity and temperature coefficient of resistance of a single-layer film and multi-layer film system of equal thickness.У роботі було експериментально визначено величини питомого опору та термічного коефіцієнта опору (ТКО) двох металевих плівкових зразків однакової товщини. При цьому один з них являв собою одношарову плівку, а інший - двошарову плівкову систему на основі Cu, в якій була штучно змодельована межа поділу шарів. Для підтвердження отриманих даних було досліджено систему [Cu/Cr]n/П (П - підкладка), отриману шляхом термоцикльованої конденсації. Показано, що інтерфейсне розсіювання носіїв заряду призводить до збільшення питомого опору та зменшення ТКО на 9 - 20%. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69