The Features of Decay Kinetics of Photovoltage in Silicon Crystals Used in Solar Energy Caused by Weak Stationary Magnetic Field

Вивчено вплив слабкого стаціонарного магнітного поля на кінетику спаду фото-ЕРС в кристалах solar-Si. Встановлені особливості в поведінці електрофізичних параметрів показали, що короткотривала і довготривала компоненти спаду фото-ЕРС визначаються тривалістю магнітної обробки. Короткий час магнітної обробки призводить до збільшення, а тривала магнітна обробка викликає зменшення обох компонент спаду фото-ЕРС в порівнянні з контрольними кристалами. Виявлено, що характер магнітостимульованої зміни кінетики фото-ЕРС корелює з зарядовим станом поверхні.Изучено влияние слабого стационарного магнитного поля на кинетику спада фото-ЭДС в кристаллах «солнечного» кремния (solar-Si). Установленные особенности в поведении электрофизических параметров показали, что кратковременная и долговременная компоненты спада фото-ЭДС определяются длительностью магнитной обработки. Короткое время магнитной обработки приводит к увеличению, а длительная магнитная обработка вызывает уменьшение обеих компонент спада фото-ЭДС по сравнению с контрольными кристаллами. Выявлено, что характер магнитостимулированного изменения кинетики фото-ЭДС коррелирует с зарядовым состоянием поверхности.The influence of a weak stationary magnetic field on the decay kinetics of photovoltage in solar-Si crystals is studied. The features in the behavior of electrophysical parameters showed that the stability of the short-term and long-term components of photovoltage depends on the duration of magnetic treatment. Short time of magnetic treatment leads to increase, and long magnetic treatment causes reduction both components of photovoltage in comparison with control crystals. It is revealed that character of magnitostimulated change of photovoltage kinetics correlates with a charge condition of surface