Electrophysical and structural characteristics OF n-ZnS/p-CdTe heterojunctions

В роботі проведено дослідження електрофізичних та структурних властивостей плівкових гетеропереходів ZnS/CdTe одержаних методом сублімації в замкненому об’ємі при різних умовах конденсації. В результаті визначені коефіцієнти ідеальності гетеропереходів, струми насичення, висоту потенціальних бар‘єрів та механізми струмо-перенесення через гетеросистеми. Структурні дослідження дозволили встановити тип текстури плівок, їх фазовий склад, період кристалічної решітки матеріалів, а також залежність цих параметрів від технологічних умов отримання конденсатів. Показано, що на межі розділу гетеросистем отриманих при температурах підкладки Ts > 773 К утворюються тверді розчини з певним хімічним складом. // Eng Electrophysical and structural characteristics of ZnS/CdTe film heterojunctions obtained by close-spaced vacuum sublimation technique at different growth conditions has been studied in this work. Results of these studies enabled to determine ideality factors, saturation currents, potential barriers and current-transfer mechanisms of these heterostructures. Structural investigations enabled to determine texture type of the films; theirs phase composition, lattice parameters and dependence of these parameters on the growth conditions. As a result, shown that on heterosystems boundary obtained at substrates temperatures Ts > 773 К arise solid solutions with a definite chemical composition. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/264