the effect of the microstructure parameters of porous silicon on thermal conduction and thermal rectifier

多孔硅材料自上世纪末期开始受到研究者的关注。近年来，随着工业技术的发展使得多孔硅比表面积大、热导率低以及热整流等特性广泛应用于SOI技术、微电子和微传感器等技术。还有研究发现硅基材料可作为热电材料，用于能源和环保领域。因此，关于多孔硅的制备条件与其微观形貌、热导率和热整流之间关系的研究十分重要。本论文主要针对多孔硅材料的孔直径、厚度、孔隙率的微观结构和热学性能进行了研究。 为了研究腐蚀电流密度对多孔硅微观形貌的影响，本论文通过单槽电化学腐蚀法制备自支撑多孔硅样品，并通过扫描电子显微镜SEM对其微观结构进行了探究。观测结果表明：1、腐蚀反应仅限于有电流的区域；2、孔直径、厚度和孔隙率与电流密度...Porous silicon materials attract lot of attention of researchers since the end of the last century. With the development of industrial technology in recent years,porous sili- -con is widely used in SOI technology,microelectronics and microsensor.The silicon nanostructure materials can be used for thermoelectric energy conversion,therefore they are promising materials for nergy and environmental ...学位：工程硕士院系专业：物理科学与技术学院_工程硕士(电子与通信工程)学号：1982014115298