Dommages et réparation de l'ADN de saccharomyces cerevisiae

Les rayonnements ionisants causent une fragmentation de chromosomes. La majorité des lésions sont caractérisées par des cassures simples brins et doubles brins au sein de la molécule d'acide désoxyribonucléique (ADN). La non réparation de ces dommages peut entraîner la mort de la cellule. Afin de déterminer la réponse cellulaire face aux fragments d'ADN générés par irradiation y, nous avons utilisé Saccharomyces cerevisiae comme système biologique. L'électrophorèse en champ puisé (CHEF) a permis l'analyse de l'intégrité des molécules d'ADN et leur réponse face aux dommages. Grâce à cette technique, nous avons séparé l'ADN chromosomique de Saccharomyces cerevisiae et les bris doubles des chromosomes ont été par la même occasion détectés. Un avantage important qu'offre Saccharomyces cerevisiae est la facilité de générer les mutants en manipulant son génome. Par exemple, pour améliorer la sensibilité et la spécificité de nos tests, nous avons utilisé une souche de levure dont un chromosome III circulaire a été construit par génie génétique. Une seule cassure double linéarise ce chromosome et la migration de cette dernière conformation est très différente de la forme initiale dans le système CHEF. Nous détectons jusqu'à la limite d'une cassure double par chromosome circulaire. Les techniques de Southem et d'hybridation avec une sonde radioactive spécifique ont complété l'identification de ces deux conformations. Nous avons vérifié laquelle de ces trois possibilités de réparation de l'ADN après irradiation y : (1) la recircularisation du chromosome III, (2) un ajout de télomères ou (3) une recombinaison avec les autres chromosomes du génome, est fréquemment utilisé chez les levures. Les résultats obtenus suggèrent une réparation préférentielle par ajout de télomères chez Saccharomyces cerevisiae