La dynamique des porteurs dans des structures à boîtes quantiques dopées InAs/GaAs

L'objet de cette maîtrise est l'étude de la dynamique des porteurs dans des nanostructures semi-conductrices, en particulier des structures à boîtes quantiques. Dans ce travail nous avons étudié les propriétés optiques de ces structures à l'aide d'expériences de photoluminescence résolue en temps. Nous avons en particulier étudié la dépendance du temps de montée des signaux de photoluminescence des boîtes quantiques en fonction du niveau de dopage de l'échantillon, de la puissance et de la longueur d'onde d'excitation. Un modèle simplifié à"3 niveaux" a permis d'apprécier l'ordre de grandeur du temps de capture dans les boîtes et de décrire de façon qualitative l'influence des conditions expérimentales sur la dynamique des photoporteurs dans ces structures. Un modèle à"4 niveaux" basé sur les équations d'évolution de la population des porteurs des 4 niveaux quantiques les plus pertinents a été développé pour une description adéquate des processus de relaxation/capture/recombinaison dans nos structures à boîtes quantiques."--Résumé abrégé par UMI