Modelagem da tensão de Early em transistores MOS nos regimes de inversão fraca e moderada

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaEste trabalho apresenta um modelo compacto para a tensão de Early do transistor MOS em inversão fraca e moderada. Utilizando as equações do modelo ACM (Advanced Compact Mosfet Model) e incluindo os efeitos de canal curto relevantes como o DIBL e a modulação do comprimento das zonas de depleção de dreno e fonte, chega-se a um modelo compacto para a tensão de Early que proporciona aproximações úteis para o projetista de circuitos integrados. Para extração de parâmetros do modelo proposto foram feitas medidas experimentais em transistores de diversos comprimentos, níveis de inversão e tensões de dreno. As curvas traçadas de acordo com o modelo compacto e com parâmetros extraídos para dispositivos em tecnologia CMOS 0,35 m são comparadas às curvas experimentais. Os resultados obtidos comprovam a eficiência do modelo como uma aproximação para cálculos de primeira ordem