Design of aparature for RF plasma etching

Táto bakalárska práca sa zaoberá návrhom aparatúry na vysokofrekvenčnú (VF) indukčne viazanú plazmu. V teoretickej časti je rešerne spracované čistenie grafénových povrchov plazmovým leptaním, ďalej sú popísané metódy generovania plazmového výboja a návrh VF elektrického obvodu. Praktická časť sa zaoberá samotnou konštrukciou aparatúry a vyrovnávacej jednotky, optickou diagnostikou plazmového výboja a meraním parametrov leptania PMMA (rýchlosť leptania, drsnosť) použitím spektroskopickej reflektometrie a mikroskopie atomárnych síl.This bachelor's thesis deals with a design of an ICP (Inductively Coupled Plasma) apparatus. The theoretical part consists of a research of a plasmatic graphene surface cleaning. Next are described plasma generation methods and an RF circuit design. The experimental part deals with a construction of the ICP apparatus and the impedance matching box, an optical diagnostics of a plasma discharge and a measurement of PMMA etching parameters (etch rate, roughness) by a spectroscopic reflectometry and an atomic force microscopy.