Fixed-charge examination by surface energy measurement

Tato práce se zabývá vývojem alternativní metody měření vázaného náboje v tenkých dielektrických vrstvách pomocí povrchového napětí. Přítomnost náboje v pasivační vrstvě se projevuje tzv. Back Surface Field (BSF) efektem, který přispívá ke snižování povrchové rekombinační rychlosti na zadní straně solárního článku. V práci jsou popsána experimentální měření dielektrických vrstev Al2O3, AlN, SiNx, Y2O3 a PSG deponovaných na krystalickém křemíku. Povrchové napětí (tj. volná povrchová energie) je vyhodnocována z velikosti úhlu smáčení (kontaktního úhlu) pomocí See Systemu.This work is deal with development of alternative method measuring fixed charge in thin dielectric layers by surface tension. Presence fixed charge takes effect so-called Back Surface Field (BFS), which helps to decrease surface recombination velocity on back side of solar cell. In work is described experimental measuring on dielectric layers Al2O3, AlN, SiNx, Y2O3 and PSG deposit on crystalline silicon wafers. Surface tension (it is the same like surface free energy) is analyzed from contact angle size using See System.