학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2017. 2. 유상임.고온 초전도 선재 (HTS CCs) 의 자장 하에서 임계전류 (IC) 의 증가를 위해, 나노입자를 초전도 기지상에 넣어 자속고정점피닝을 유발하여 임계전류밀도 (JC) 를 증가시키거나, JC 감소를 최소화하며 박막의 두께를 증가시키는 것이 요구된다. Reactive co-evaporation deposition &reaction 공정을 통해 HTS CCs 제조 시, GdBa2Cu3O7-δ 기지 상 내에 Gd2O3 나노입자의 포획을 피할 수 없다는 점과 pulsed laser deposition (PLD) 법으로 박막을 증착할 경우 EuBa2Cu3O7-δ (EuBCO) 가 다른 REBa2Cu3O7-δ (RE: Gd, Sm) 보다 박막 두께의 증가에 따른 JC 감소가 적어, 높은 IC 값을 얻기에 유리하다는 선행 논문 보고를 근거로, 본 연구에서는 PLD 법으로 EuBCO 초전도상 내에 Eu2O3의 나노입자를 넣을 때 최적의 도핑량을 규명하고, 이 도핑량으로 박막 두께를 증가시킬 때 IC의 증가에 미치는 영향을 규명하고자 하였다. 본 연구를 위해 PLD법으로MgO (100) 단결정 기판 위에 CeO2 완충층을 성막한 후, 그 위에 800℃의 증착온도를 유지하며 EuBCO 박막을 증착하였다. 이 때 여러 도핑량의 Eu2O3 가 첨가된 EuBCO 박막을 제조하여, 최적의 도핑량을 규명하였고, 최적의 도핑량을 갖는 EuBCO 박막의 두께를 변화시킬 때 I...